Os primeiros nanochips

Indústria eletrônica produz comercialmente estruturas nanométricas

A inovação melhora enormemente o desempenho de microprocessadores, criando técnicas que vão além da redução no tamanho dos transistores. O chip ampliado cerca de 50 mil vezes, melhora a velocidade e economiza energia ao depositar silício para os transistores sobre uma camada de óxido.
Para a maioria das pessoas, a idéia de dominar a nanotecnologia para produzir circuitos eletrônicos sugere algo totalmente futurista. Na verdade, qualquer pessoa que tenha usado um computador pessoal fabricado nos últimos anos teve seu trabalho processado muito provavelmente por semicondutores construídos em escala nanométrica.
Esses microchips – ou melhor, nanochips – incrivelmente sofisticados são hoje fabricados aos milhões, mas os cientistas e engenheiros responsáveis por seu desenvolvimento são pouco reconhecidos.
Os avanços recentes certamente são impressionantes, mas o leitor pode perguntar: a fabricação de semicondutores é realmente nanotecnologia? Sim, com certeza. Afinal, a definição mais aceita dessa palavra aplica-se a objetos com dimensões inferiores a 100 nm, e as portas dos transistores de muitos chips que começaram a ser fabricados em 2000 têm pouco menos de 70 nm de largura.
A melhor maneira de apreciarmos as inovações técnicas que ajudaram a abrir as portas da atual era dos nanochips é analisarmos os aperfeiçoamentos implementados em cada um dos estágios da fabricação dos semicondutores modernos .
A redução do tamanho dos elementos nos chips aumenta a velocidade e barateia a produção, ao permitir que mais transistores (freqüentemente  mais de 50 milhões) sejam colocados em um único chip. 
Evolução dos componentes de microprocessadores


Diversas novas formas de nanotecnologia trouxeram ganhos significativos, entre elas, materiais e métodos aperfeiçoados para corrigir distorções que resultam da difração óptica durante a gravação dos padrões nos chips.

 Em breve, postaremos a entrevista que tivemos com Tatiana Rappoport, professora adjunta do Instituto de Física da UFRJ, sobre nanotecnologia. 
  
Texto de G. Dan Hutcheson, adaptado por Patricia Fernandes

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